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元件参数资料
>
参数目录40271
> IRF7506TR MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
型号:
IRF7506TR
RoHS:
否
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
IRF7506TR PDF
产品目录绘图
IR Hexfet Micro-8
标准包装
1
系列
HEXFET®
FET 型
2 个 P 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
270 毫欧 @ 1.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
180pF @ 25V
功率 - 最大
1.25W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装
Micro8?
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1521 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
*IRF7506TR
IRF7506
IRF7506CT
查看IRF7506TR代理商
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